（来源：上观新闻）
“EIC测⛱↗试与PIC测🈂🐌试对比表”—👦—对比测🇳🇮👁试原理🐪🥖、对准🇻🇺🇨🇼精度、行业🐼◼成熟度、🇳🇱主要探🦀针卡厂商四个🕹维度，图源：T👳♀️ren🧘♀️👁dFo📃rce，下同 🇨🇰🆘四个测试阶段，最🐍关键的是哪😓🚆一步？ 🎛🈶一颗CP🙄O芯片从晶圆到🎄系统，需要经历🌥🦆四个测试⛈🧘♀️阶段： 🍎👨🚀第一阶🐌段：PIC晶圆🦕🎄级测试（O🥭WAT）——直🧔流电学与光学♋基础测试🇦🇬，包括光功率🆖🚔、损耗、暗电流等👸🇮🇱基本光学参❄🧲数测量⁉。
后续推出的DLT🖱🏌-D1是双面芯☁片级测试系统，最🕚🚑多可同时🧗♂️连接三个🎊并行测试🤽♂️🧴头，提升吞吐量、👟👨🔬降低测试成⏪本👩🎨。其SOP稳🇷🇸🙄定技术🥜还能将输入光的偏🚔🏎振态锁定在特定🔍点，确保整个波🕊长扫描过🦝⚾程中光耦合🙃的稳定性⏮🥾。这种产业方 + 🏋️♀️🇻🇺技术方深度协🧻同模式，完美打通🇲🇫了具身智能🏘落地最后一🛥🤵公里难题🇫🇴😯。
