（来源：上观新闻）
这意味😊着在 2028💠😂 年之前，没有🇨🇼任何一🚭家 AI 公6️⃣💌司能靠堆算力🇼🇸🍧显著拉🗻开差距📶💓。技术瓶颈：持🇮🇱⏺续的内🗃存芯片🍃短缺和先进制程👮♀️产能的限制🗑🏌，可能影响📥新产品的发😴🙀布节奏和成🌻本控制🇿🇲🐕。
其中，光学级铌酸🐖锂单晶的制取是↙⏩产业链的最上游🕧环节，此前该市场🔩长期被📒日本厂商垄断🤦♀️📍，目前国内的天通🔞🙍股份、🗺📋南智芯🔊材等厂商已实🧚♂️🍂现国产化突破🧂；薄膜🇧🇲➿铌酸锂晶圆🇪🇪核心工艺是在🥰🇮🇲硅材料的衬底上👨🎨🐞进行键合🛬🐣等，国内头部🇵🇱厂商包括👨🏭❇济南晶🖍👩👩👧👧正、上海新硅聚合🌶等；薄🇹🇴🇮🇱膜铌酸锂调制芯⚖片厂商则👨🔬🇲🇨通过光刻👘🛏、物理轰击刻蚀或🔬🏋️♀️化学机械抛🥭🙌光工艺，制备T💾FLN芯片，☸全球代表厂商包👩⚕️括江苏铌奥光🇧🇫电、Hyp👨💼erlight🥙等🏝🤲。
