（来源：上观新闻）
“EIC测试与🍈1️⃣PIC测试对比🤗表”——对比测📆试原理、🏊对准精度、行🧚♀️🙅♂️业成熟度、主要🍾🦛探针卡厂商四个维🆗度，图源：T🇹🇹ren🉐🏝dForce🗼🛰，下同 👨💻🇪🇷四个测试阶段🙊，最关键的是🇸🇸🍟哪一步？ 🎾🇩🇯一颗CPO芯🏰🇳🇫片从晶圆♠😷到系统，需要☦🌭经历四个🇭🇹💄测试阶段🍜🐩： 第一阶段：P🏄IC晶👨⚕️圆级测试（🇦🇹🚻OWAT）😿🉐——直流🇲🇫电学与光学基👩🔬📢础测试，包8️⃣括光功率、🏞损耗、🗾暗电流等基本光📶学参数测量⚾🔜。
但它的核心🌯🙀地带并非如⏱🥈此🅿。Nig⛏ht Jar🇳🇺🐶能够精确定位🦐🔅漏光位置，🥳🍃并测量🏣特定波导🇶🇦🏉段或光学🍨🆎组件的量化I👊L值，支持🔼🏝晶圆级光损耗映射🇸🇯🧦，帮助研发⏰人员更⚡🥋快速准🌷确地识🇱🇨别缺陷🇨🇼，最终提升生🆓产良率🧿。模型版本参数配➿置 D🅾🏚eepSeek-😤V4 系列预览版👨👩👧👧🚄本，包🐡含两款强大的混😛合专家（Mix🔱↖ture-of🤟⛄-Exper👨✈️🔼ts, 🐄🔉MoE）模型💃。
